許留洋，男，副教授。2017年4月畢業于長春理工大學，獲博士學位，研究方向為半導體激光器腔面鈍化。

    近年發表論文如下：

1、 許留洋,高欣,袁緒澤,等.GaAs半導體表面的等離子氮鈍化特性研究. 發光學報,2016,37(4):428-431.

2、 許留洋,高欣，袁緒澤,等.射頻等離子硫鈍化GaAs(100)的表面特性. 發光學報,2016,37(5):556-560.

3、 L Xu，X Gao，X Yuan, et al. Surface passivation on (100) oriented GaAs materials by hydrazine solution. ICOM in IEEE, 2015.

4、 許留洋,高欣,袁緒澤,等. GaAs半導體的硫-氮混合等離子體鈍化及在激光器工藝上的應用. 光電子激光.

5、 R Lu，L Xu，X Gao，et al. Thermal Characterization of Electrically Injected Elliptical Microcavity Lasers. Chinese Journal of Lasers,2016,43(4).

6、王文，許留洋，王云華,等. 熱沉尺寸對半導體激光器有源區溫度的影響. 半導體光電,2013,34(5).

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